- Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi
- Vol: 21 Issue: 2
- Electrical Properties of The Heterojunction Diode Produced Based on IGZO Thin Film
Electrical Properties of The Heterojunction Diode Produced Based on IGZO Thin Film
Authors : Serap YİĞİT, Yasemin GÜNDOĞDU, Hamdi Şükür KILIÇ
Pages : 257-265
Doi:10.35414/akufemubid.867847
View : 17 | Download : 2
Publication Date : 2021-04-30
Article Type : Research
Abstract :Bu çalışmada, PLD tekniği kullanarak oda sıcaklığındaki SLG ve p-Si wafer üzerine 5×10-2 ve 7×10-2 mbar oksijen gaz basıncı altında IGZO ince filmler üretilmiş ve 300o C sıcaklıkta tavlanmışlardır. IGZO ince filmler amorf yapıda büyümüşlerdir. Oksijen gaz basıncı artarken, ince filmi oluşturan parçacıkların boyutu büyümüştür. 7×10-2 mbar oksijen gaz basıncı altında büyütülmüş ve tavlanmamış IGZO ince filme dayalı olarak IGZO/Si heteroeklem diyotu üretilmiş ve bu diyotun karanlık ve aydınlık şartlarda J-V eğrileri elde edilmiş, ideality faktörleri ve bariyer yükseklikleri hesaplanmıştır. Aydınlık ortam için, J-V, Cheung Cheung ve Norde metotları ile IGZO/Si heteroeklem diyotun n,〖 R〗_s and Ф_b değerleri hesaplanmıştır. Bu çalışmadan elde edilen sonuçlar analiz edilmiş ve bulunan değerlerin birbirlerine yakın olduğu yorumu yapılmıştır.Keywords : IGZO, , ince film, diyot, Cheung Cheung, Norde, PLD