- Politeknik Dergisi
- Vol: 8 Issue: 4 - Vol: 8 Issue: 4
- Gama-Işınlarına Maruz Bırakılan 4-Metilbenzilamin Glioksim Tek Kristalinin EPR ve Simülasyon Tekniği...
Gama-Işınlarına Maruz Bırakılan 4-Metilbenzilamin Glioksim Tek Kristalinin EPR ve Simülasyon Tekniği ile İncelenmesi
Authors : Ülkü AKPINAR, Hüseyin YÜKSEL, Bilge YILDIRIM, Mehmet BİREY
Pages : 397-401
View : 9 | Download : 1
Publication Date : 2005-12-01
Article Type : Research
Abstract :Gama ışınlarına maruz bırakılan 4-Metil Benzilamin Glioksim (4-MBG) tek kristallerinin elektron paramanyetik rezonansı, manyetik alanda kristalin farklı yönelimleri için gözlenmiş ve analiz edilmiştir. 4-MBG tek kristalleri 100 K ve 400 K arasındaki sıcaklıklarda incelenmiştir. g-faktörünün ortalama değeri ve aşırı ince yapı yarılmasının değerleri sırası ile g=1,999, , ve olarak bulunmuştur. Çiftlenmemiş elektronun rN(NH) = 0,5 ve rH(NH) = 0,5 ile sırasıyla azot ve hidrojen üzerinde lokalize olduğunu ölçümler göstermiştir. Çiftlenmemiş elektron ile protonlar ve azotun g değeri ve aşırı ince yapı etkileşme sabitleri EPR ve simülasyon tekniği ile belirlenmiştir.Keywords : EPR, Spektroskopik Yarılma Faktörü, g, Aşırı İnce Yapı Etkileşme Sabiti, , Spin Yoğunluğu, .