The GaN Epilayer Grown by MOVPE: Effect of The Different Nucleation Layer Temperatures

Authors : Ismail Altuntas, Sezai Elagöz

Pages : 6-10

Doi:10.46460/ijiea.898795

View : 19 | Download : 6

Publication Date : 2021-06-28

Article Type : Research

Abstract :Farklı çekirdek tabakası sıcaklıklarının (LT-GaN büyüme sıcaklığı), MOVPE tarafından büyütülen sonraki GaN epitabakasının özellikleri üzerindeki etkisi araştırılmıştır. Yerinde yansıma eğrileri, daha yüksek LT-GaN büyüme sıcaklıklarının GaN çekirdeklenme adalarının hızlı birleşmesine (daha kısa geçiş süresi) neden olduğunu göstermektedir. Sırasıyla, hem fotolüminesans (PL) hem de yüksek çözünürlüklü x-ışını kırınımı (HRXRD), LT-GaN büyüme sıcaklığının sonraki GaN epilayerinin optik ve yapısal özellikleri üzerindeki etkisini göstermek için kullanıldı. LT-GaN büyüme sıcaklığındaki değişimin hem HRXRD ölçümü sonuçlarından elde edilen yarı maksimumda tam genişlik (FWHM) değerleri hem de sarı lüminesans tepe yoğunluğu üzerinde etkisi olduğu görülmüştür. Örnekler için sarı lüminesans tepe yoğunluklarının LT-GaN büyüme sıcaklığı ile değiştiği görülmüştür.
Keywords : Metal Organik Buhar Faz Epitaksi, Galyum Nitrür, Epitaksi, Karakterizasyon, XRD