- Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi
- Cilt: 13 Sayı: 4
- Ag/pentasen/Cu MIM Yapısının Optoelektronik Özelliklerinin İncelenmesi
Ag/pentasen/Cu MIM Yapısının Optoelektronik Özelliklerinin İncelenmesi
Authors : Fatih ÜNAL
Pages : 1798-1806
Doi:10.31466/kfbd.1336879
View : 31 | Download : 40
Publication Date : 2023-12-15
Article Type : Research
Abstract :Ag/pentasen/Cu MIM yapısı (metal-insulator-metal) termal buharlaştırma yöntemi kullanılarak başarılı bir şekilde üretilmiştir. Üretilen yapının temel I-V karakterizasyonu karanlık ve 20, 40, 60, 80, 100 mW.cm-2 ışık şiddetinde incelenmiştir. MIM yapısının diyot parametreleri; idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ϕb), ters doyma akımı (I0), seri direnç (Rs) ve Shunt direnç (Rsh) değerleri hem karanlık hem de farklı ışık şiddetlerinde belirlenmiştir. Karanlık ortamda sırasıyla n, ϕb, I0, Rs ve Rsh değerleri 7.95, 0.31 eV, 1.95x10-6 A, 3.13x104 Ω ile 3.85 x104 Ω olduğu belirlenmiştir. Ayrıca üretilen MIM yapısının fotodedektör parametreleri; fotoakım (Iph), duyarlılık (R) ve özgül dedektiflik (D*) değerleri de farklı ışık şiddetlerinde incelenmiştir ve maksimum değerlerin sırasıyla 7.85x10-5 A, 6.09x10-3 A.W-1 ve 1.86x107 Jones olduğu belirlenmiştir.Keywords : Metal-insulator-metal, MIM, pentasen, optoelektronik