Optical Properties of AlInN/AlN HEMTs in Detail
Authors : Ömer Akpinar, Ahmet Bilgili, Mustafa Öztürk, Süleyman Özçelik
Pages : 521-529
Doi:10.31466/kfbd.954421
View : 13 | Download : 4
Publication Date : 2022-12-15
Article Type : Research
Abstract :Bu çalışmada, Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) tekniği ile c-yönelimli safir üzerinde büyütülen AlInN/AlN yüksek elektron hareketli transistör (HEMT) yapısının optik özellikleri incelenmiştir. Optik karakterizasyon Kubelka-Munk yöntemiyle yapılmıştır. Geçirgenlik, absorbans, yansıma detaylı olarak incelenmiştir. Ayrıca özel fonksiyonlar kullanarak InN\'nin yasak enerji bant aralığını belirlemek için Kubelka-Munk teorisinden yararlanılmıştır. Bu yöntemle elde edilen enerji bant aralığının karşılaştırılması yapılmıştır.Keywords : MOCVD, HEMT, AlInN/InN, Geçirgenlik, Kubelka-Munk Metodu, Mobilite