- Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
- Vol: 12 Issue: 4
- Işık Altında Elektrodepozisyon Yöntemi ile Üretilmiş GaxOyNz/p-Si Diyot Yapısının Elektriksel Karakt...
Işık Altında Elektrodepozisyon Yöntemi ile Üretilmiş GaxOyNz/p-Si Diyot Yapısının Elektriksel Karakterizasyonu
Authors : Özcan Birgi
Pages : 2129-2139
Doi:10.21597/jist.1115556
View : 12 | Download : 8
Publication Date : 2022-12-01
Article Type : Research
Abstract :Bu çalışmada, GaxOyNz yarıiletken materyal LED grubu aydınlatması altında elektrodepozisyon tekniği kullanılarak p-Si (100) üzerine biriktirilmiştir. Galyum Nitrat, Amonyum Nitrat ve deiyonize su karışımı kullanılarak elektrolit çözeltisi hazırlanmıştır. Platin levha ve p-Si sırasıyla anot ve katot olarak kullanılmıştır. GaxOyNz/p-Si aygıt yapısının üretim aşamasından sonra, 20-100 oC aralığında 10 oC adımlarla sıcaklığa bağımlı Akım-Gerilim (I-V) ölçümleri alınarak iki boyutlu arayüzey durum yoğunluğu dağılımı analizi yapılmıştır. Yapılan analizler sonucunda GaxOyNz/p-Si aygıt yapısının doğrultucu diyot özelliği sergilediği görülmüştür.Keywords : GaN, Ga2O3, Elektrodepozisyon, fotoelektrokataliz, galyum bazlı malzemeler, elektriksel karakterizasyon