- Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
- Vol: 12 Issue: 2
- Ti/ p-GaN Schottky Diyotunun Elektriksel Parametrelerinin İncelenmesi
Ti/ p-GaN Schottky Diyotunun Elektriksel Parametrelerinin İncelenmesi
Authors : Hatice Asil Uğurlu
Pages : 752-760
Doi:10.21597/jist.1024690
View : 8 | Download : 4
Publication Date : 2022-06-01
Article Type : Research
Abstract :Ti/p-GaN Schottky diyotunun elektriksel özellikleri araştırıldı. İdealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnç (Rs) gibi temel diyot parametreleri akım-gerilim (I-V) karakteristiği özelliklerinden faydalanarak geleneksel I-V yöntemi, Cheung fonksiyonları ve Norde yöntemi ile incelendi. İdealite faktörü (n) I-V yönteminde 1.62 ve Cheung fonksiyonlarından 3.54 olarak hesaplandı. Farklı yöntemlerden hesaplanan engel yüksekliği (Фb) değerlerinin birbirine yakın değerlerde olduğu bulundu. Ti / p-GaN Schottky diyotunun hesaplanan seri direnç (Rs) değerleri de kohm mertebesinde olduğu görüldü. Ti/p-GaN Schottky diyotunun arayüzey durum yoğunluğunun büyüklüğü 6.35 × 1012 cm−2 eV−1 ile 3.48 × 1013 cm−2 eV−1 arasında değiştiği belirlendi.Keywords : Schottky diyot, engel yüksekliği, Norde yöntemi, Cheung fonksiyonları, I-V yöntem