- Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
- Vol: 12 Issue: 1
- MOCVD ile büyütülen GaN p-i-n yapısındaki sarı ışık merkezinin elektro-optik ölçümlerle incelenmesi...
MOCVD ile büyütülen GaN p-i-n yapısındaki sarı ışık merkezinin elektro-optik ölçümlerle incelenmesi
Authors : Neslihan Ayarci Kuruoğlu
Pages : 207-216
Doi:10.21597/jist.962671
View : 7 | Download : 2
Publication Date : 2022-03-01
Article Type : Research
Abstract :Bu çalışmada, metal organik buhar fazlı epitaksi ile üretilmiş GaN p-i-n yapı, elektrolüminesans (EL) ve sıcaklığa akım-gerilim ölçümleriyle incelenmiştir. GaN p-i-n yapının, düz besleme geriliminde uzay yükü sınırlamalı bölgeye karşılık gelen 50 mA enjeksiyon akımı altında, tepe noktası 2.2 eV enerjisinde olan sarı ışık yaydığı gözlenmiştir. Ayrıca, uzay yükü sınırlamalı bölgeden türetilen mobilitenin, elektrik alan bağlılığının Poole-Frenkel türünde olduğu saptanmış ve termal enerji aralığı 0.299 eV olarak hesaplanmıştır. Hesaplanan bu enerji aralığı, EL ölçümünden elde edilen sonuçlarla desteklenmiştir.Keywords : GaN, p-i-n yapı, elektrolüminesans, akım-gerilim karakterizasyonu, mobilite