- Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
- Vol: 10 Issue: 1
- Au/C20H12/n-Si (MPS) Yapının Elektriksel Özelliklerinin Frekansa Bağlı İncelenmesi
Au/C20H12/n-Si (MPS) Yapının Elektriksel Özelliklerinin Frekansa Bağlı İncelenmesi
Authors : Seda Bengi
Pages : 179-189
Doi:10.21597/jist.600490
View : 9 | Download : 6
Publication Date : 2020-03-01
Article Type : Research
Abstract :Bu çalışmada, C20H12 (perilen) ince film tabaka spin kaplama metodu ile n-Si üzerine büyütüldü. Au/C20H12/n-Si (Metal-perilen-yarıiletken) yapının kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/-V) karakteristikleri, oda sıcaklığında, 200kHz-3MHz frekans ve ±6V voltaj aralığında incelendi. Potansiyel engel yüksekliği (B), seri direnç (Rs) ve arayüzey durumları (Nss) gibi temel elektriksel parametrelerin frekansa ve voltaja oldukça bağlı olduğu görüldü. C-V eğrilerinde yüksek frekanslarda negatif kapasitans davranışı gözlendi. Nicollian ve Brews metodu kullanılarak Au/C20H12/n -Si yapının seri direnci (Rs) ve Hill-Coleman metodu kullanılarak da arayüzey durumlarının (Nss) voltaja bağlı değişimi incelendi. Seri direnç değerleri her frekans değeri için bir pik vermekte ve artan frekans ile azalmaktadır. Arayüzey durumları da artan frekans değeri ile eksponansiyel olarak azalmaktadır. Elde edilen deneysel sonuçlar ile hem Rs hem de Nss değerlerinin C-V ve G/-V ölçümleri üzerinde oldukça etkili olduğu gözlendi.Keywords : Au/C20H12/n-Si MPS yapı, Seri direnç, Arayüzey durumları