- Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
- Vol: 9 Issue: 4
- Düşük Tellür Katkılı CuInGaSe2 İnce Filmlerin Yapısal Özelliklerinin İncelenmesi
Düşük Tellür Katkılı CuInGaSe2 İnce Filmlerin Yapısal Özelliklerinin İncelenmesi
Authors : Yavuz Atasoy
Pages : 2088-2096
Doi:10.21597/jist.595150
View : 14 | Download : 7
Publication Date : 2019-12-01
Article Type : Research
Abstract :Bu çalışmada Cu(In,Ga)(Se1-yTey)2 ince filmleri, külçe formundaki yapının elektron demeti ile buharlaştırılıp yüksek sıcaklıkta tavlanması ile elde edildi. Örneklerin X-ışını kırınım desenleri (XRD), Raman spektrumları, yüzey görüntüleri ile atomik konsantrasyon ölçümleri alınarak katkısız ve düşük Te katkılı örneklerin yapısal özellikleri ayrıntılı olarak incelenerek karşılaştırıldı. XRD desenlerinde, katkısız CIGS ince filminde, Cu(In,Ga)Se2 ve CuIn3Se5 gibi bir faz ayrışımının ortaya çıktığı, Te katkısı ile beraber faz ayrışımının ortadan kalktığı görüldü. Örneklere ait A1 Raman modlarının deneysel değerleri, teorik bir yaklaşımla elde edilen değerler ile karşılaştırıldı. Yüzey fotoğrafları incelendiğinde, Te katkısı ile beraber film yüzeyinin daha düzgün (uniform) hale geldiği ve tanelerin mikron-altı boyutlarında oluştuğu görüldü. Benzer şekilde, yapıdaki kompozisyon profilinin iyileştiği (Ga miktarının arttığı) ve hedeflenen miktarda Te’ün neredeyse yapıya girdiği görüldü.Keywords : Bakır, İndiyum, Galyum, Selenyum, Tellür, ince film, kalkopirit kristal yapısı, CIGST