- Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
- Vol: 9 Issue: 3
- Yb/p-Si Schottky Diyotlarının Elektriksel Karakteristiklerinin İncelenmesi
Yb/p-Si Schottky Diyotlarının Elektriksel Karakteristiklerinin İncelenmesi
Authors : Havva Elif Lapa, Ali Kökce, Ahmet Faruk Özdemir
Pages : 1385-1394
Doi:10.21597/jist.537844
View : 15 | Download : 1
Publication Date : 2019-09-01
Article Type : Research
Abstract :Yb/p-Si Schottky diyotları termal buharlaştırma yöntemiyle imal edilmiştir. Bu diyotların akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) ölçümleri karanlıkta ve oda sıcaklığında alınmıştır. I-V verileri kullanılarak idealite faktörü (n), sıfır-beslem engel yüksekliği (bo) ve seri direnç (Rs) parametreleri hesaplanırken C-2-V karakteristiğinden Fermi enerji seviyesi (EF), alıcı atomların yoğunluğu (NA) ve engel yüksekliği [Фb(C-V)] gibi bazı elektriksel parametreler hesaplanmıştır. Doğru beslem I-V karakteristiklerinden n değeri 1.59 olarak hesaplanırken bo değeri 0.75 eV olarak hesaplanmıştır. C-2-V karakteristiğinden EF, NA ve Фb(C-V) değerleri, sırasıyla, 0.15 eV, 5.27×1015 cm-3 ve 0.67 eV olarak bulunmuştur. Ayrıca, n, Фb ve Rs değerleri Cheung ve Norde fonksiyonlarından da elde edilmiştir. Elde edilen bulgulara göre, Yb/p-Si Schottky diyotlarının düşük sızıntı akımına, iyi bir doğrultma oranına ve yüksek engel yüksekliğine sahip olması, Yb’un kaliteli Schottky diyot elde etmek için cazip bir element olduğunu göstermiştir.Keywords : Metal/yarıiletken kontaklar, Yb/p-Si Schottky diyotlar, elektriksel karakteristik