- Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
- Vol: 9 Issue: 1
- MOSFET tabanlı kayıplı Endüktans benzetimi
MOSFET tabanlı kayıplı Endüktans benzetimi
Authors : Yunus Babacan, Abdullah Yesil
Pages : 30-38
Doi:10.21597/jist.428412
View : 8 | Download : 6
Publication Date : 2019-03-01
Article Type : Research
Abstract :Bu çalışmada sadece MOSFET’lerden oluşan endüktans benzetimi devresi sunulmuştur. Ana yapı olarak sadece iki transistordan ve bir topraklı kapasiteden meydana gelmiştir. Kutuplanması yapılmış tüm yapı ise sadece beş transistordan oluşmaktadır. Devrede harici kapasite yerine MOS-kapasite kullanılmıştır. Devrenin endüktans değeri elektronik olarak ayarlanmaktadır. Devrenin serimi Cadence programı yardımıyla çizilmiş ve serim sonrası benzetimler makaleye eklenmiştir. Ayrıca sunulan endüktans benzetiminin performansını belirtmek amacıyla ikinci dereceden gerilim-modlu band-geçiren filtre devresi kurulmuştur. Benzetim sonuçları teorik sonuçlar ile uyum içinde olduğu görülmektedir.Keywords : MOSFET-C, endüktans benzetimi