- Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
- Vol: 8 Issue: 3
- Dielectric Characterization of Si-Based Heterojunction with TiO2 Interfacial Layer
Dielectric Characterization of Si-Based Heterojunction with TiO2 Interfacial Layer
Authors : Abdulkerim KARABULUT
Pages : 119-129
View : 8 | Download : 2
Publication Date : 2018-09-30
Article Type : Research
Abstract :Bu çalışmada, Al/TiO2/p-Si/Al heteroeklemi üretildi ve bazı elektrik ve dielektrik karakteristikleri araştırıldı. TiO2 arayüzey katmanının sentezlenmesi için yüzey düzgünlüğü ve kararlılığı gibi sahip olduğu bazı avantajlardan dolayı atomik katman kaplama tekniği kullanıldı. Elektriksel ve dielektrik karakteristiklerinin belirlenmesi için, oda sıcaklığında, -1 ile +1 V beslem voltajı ve 10 kHz-1MHz frekans değerleri aralıklarında empedans spektroskopisi ölçümleri yapılmıştır. Elektriksel parametreler olarak arayüzey halleri dağılımı ve seri direnç değerleri belirlenmiştir. Bunlara ek olarak, dielektrik kaybı ve katsayısı, elektriksel modülün gerçek ve imajiner kısmı ve AC elektrik iletkenliği gibi dielektrik parametrelerin frekansa ve voltaja güçlü bir şekilde bağlı olduğu bulunmuştur. Elektrik ve dilelektrik karakteristikler üretilen aygıtın arayüzey halleri ve polarizasyon değerlerinin düşük frekanslarda AC sinyalini takip edebildiğini göstermektedir.Keywords : Dielektrik özellikler, TiO2, MIS yapı, atomik katman kaplama (ALD), atomik katman kaplama (ALD)