- Gümüşhane Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi
- IOCENS'21 Konferansı Ek Issue
- Investigation of the X-ray fluorescence parameters and valance electronic structure for Ni in Ni-B/h...
Investigation of the X-ray fluorescence parameters and valance electronic structure for Ni in Ni-B/hBN coating materials with doped TMAB and saccharine
Authors : Oğuz Kağan Köksal, Ismail Hakkı Karahan
Pages : 89-97
Doi:10.17714/gumusfenbil.1030049
View : 8 | Download : 3
Publication Date : 2022-09-30
Article Type : Research
Abstract :Bu araştırmada, Ni-B alaşımlı kaplamalarda Ni\'nin K kabuğu değerlik elektronik yapısı, X-ışını emisyonu ve XRD spektrumları toplanarak incelenmiştir. Elde edilen veriler K beta/K alfa X-ışını yoğunluk oranları ve XRD verileri açısından değerlendirildi. Kaplanmış alaşımlar, bu çalışma için farklı konsantrasyonlarda altıgen bor nitrür (hBN) kullanılarak elektrokimyasal depolama yöntemiyle üretilmiştir. Mevcut örneklere sabit konsantrasyonda sakarin ve trimetilamin boran kompleksi (TMAB) ilave edildi. Mevcut örnekler, 241 Am halka şeklindeki radyoaktif kaynaktan gelen 59.5 keV fotonları tarafından uyarıldı. Örneklerden yayılan K kabuk X-ışınları, 5,9 keV\'de 150 eV çözünürlüğe sahip bir Ultra-LEGe dedektörü vasıtasıyla tespit edildi. Ni-B alaşımlarının K kabuğu X-ışını yoğunluk oranları saf Ni ile kontrol edildi. Mevcut sonuçlardaki değişimler, katkılı TMAB ve sakarin içeren Ni-B/hBN kaplama malzemelerinde Ni\'nin değerlik elektronik yapılarındaki değişim ile yorumlanmıştır.Keywords : Şiddet oranı, K kabuğu, XRD, XRF, Değerlik elektron yapısı