- Bitlis Eren Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi
- Vol: 9 Issue: 3
- Doğal Oksit Arayüzey Tabakalı Zr/p-Si Schottky Diyotlarının Yüksek Frekanslarda Kapasite-Gerilim ve ...
Doğal Oksit Arayüzey Tabakalı Zr/p-Si Schottky Diyotlarının Yüksek Frekanslarda Kapasite-Gerilim ve İletkenlik-Gerilim Karakteristiklerinin Analizi
Authors : Durmuş Ali Aldemir, Havva Elif Lapa, Ahmet Faruk Özdemir, Nazım Uçar
Pages : 1024-1030
Doi:10.17798/bitlisfen.655179
View : 15 | Download : 3
Publication Date : 2020-09-26
Article Type : Research
Abstract :Termal buharlaştırma yöntemiyle imal edilen Zr/SiO2/p-Si Schottky diyotların kapasite-gerilim-frekans (C-V-f) ve iletkenlik-gerilim-frekans (G-V-f) ölçümleri 500 kHz - 3 MHz aralığında 5 farklı frekansta ve oda sıcaklığında alınmıştır. 1 MHz frekans için C-V karakteristiği yardımıyla arayüzey oksit tabakasının kalınlığı 2.33 nm olarak hesaplanmıştır. Güçlü birikim bölgesindeki C ve G değerleri kullanılarak seri direncin ortalama değeri 70.5 Ω olarak elde edilmiştir. Bu diyotlar için, Hill-Coleman metodu ile hesaplanan arayüzey durum yoğunluğunun (Dit) artan frekansla azaldığı görülmüştür. Elde edilen bulgulara göre, Zr/SiO2/p-Si Schottky diyotları hızlı anahtarlama için umut vaat edicidir.Keywords : Schottky diyot, Silikon, Kapasite-iletkenlik