- Beykent Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi
- Vol: 8 Issue: 1
- GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI
GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI
Authors : Osman CEYLAN, Osman CEYLAN, Hasan YAĞCI, Hasan Bülent YAĞCI, Selçuk PAKER
Pages : 33-49
Doi:10.20854/befmbd.31566
View : 11 | Download : 3
Publication Date : 2015-04-03
Article Type : Other
Abstract :Bu çalışmada X bandında çalışan, yüksek verimli F sınıfı güç kuvvetlendiricisi Galyum Nitrit Yüksek Elektron Hareketlilikli Tranzistor (High Electron Mobility Transistor, GaN tHEMT) kullanılarak tasarlanmıştır. Bu tasarımda kullanılan Triquint TGF2023-1-01 tranzistoru için Modelithics geliştirdiği doğrusal olmayan tranzistor modeli kullanılmıştır. Tasarlanan devrenin daha geniş frekans bandından çalışmasını sağlamak için kapasitif elemanlar radyal yapılı mikroşerit hatlar ile gerçeklenmiştir. Tasarım sonucunda 8.2 GHz merkez frekansında elde edilen en yüksek verim %62, güç kazancı ise 9.3dB’dir. Tasarlanan devre geniş bantlı iletişim sistemlerinde (170MHz) kullanılmaya uygun olarak bant içerisindeki verimi %60’ın üzerindedir. Çalışma sonunda GaN HEMT kullanarak yüksek çıkış gücüne sahip yüksek verimli kuvvetlendirici elde edilmiştir.Keywords : GaN, X Band, Güç Kuvvetlendiricisi, F Sınıfı, Dairesel Yapılı Hat