- Journal of Anatolian Physics and Astronomy
- Vol: 1 Issue: 2
- BRIDGMAN/STOCKBARGER TEKNİĞİYLE BÜYÜTÜLEN XIIIn2Se4 ÜÇLÜ YARIİLETKENLERİN YAPISAL KARAKTERİZASYONU...
BRIDGMAN/STOCKBARGER TEKNİĞİYLE BÜYÜTÜLEN XIIIn2Se4 ÜÇLÜ YARIİLETKENLERİN YAPISAL KARAKTERİZASYONU
Authors : Bekir Gürbulak, Kübra Alemdar Duman, Mehmet Kürşat Dumanli
Pages : 77-85
View : 19 | Download : 4
Publication Date : 2021-12-31
Article Type : Research
Abstract :Nano ve optoelektronik teknolojinin ilerlemesinde yarıiletkenlerin alanı önemi giderek artmaktadır. Ancak, kullanılacak yarıiletkenlerin hem kolay elde edilebilir hem de uygulama alanının geniş olması daha da önem arz etmektedir. Bu maksatla, uygulama alanlarının çok olduğu ve karakteristiklerinin tam olarak belirlendiği yarıiletkenlere ihtiyaç duyulmaktadır. Elde edilen bütün sonuçlar analiz edilerek nano ve optoelektronik teknolojisi için önemli olan bu kristallerden FeIn2Se4 yapısal karakteristikleri detaylı olarak araştırılacaktır. XIIIn2Se4 (XII =Mn, Fe vb.) üçlü yarıiletken bileşikleri, bölümümüz kristal büyütme laboratuvarında, Bridgman-Stockbarger metodu ile büyütülmüştür. Numunelerin, yapısal ve morfolojik karakterizasyonları X-Işını Kırınımı (XRD), Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ve Enerji Ayrımlı X-ışını (EDX) spektroskopisi teknikleri kullanılarak gerçekleştirilmiştir. X-Işını Kırınımı bulguları incelendiğinde FeIn2Se4 yarıiletkenlerin hegzagonal yapıya sahip olduğu bulunmuştur. FeIn2Se4 yarıiletkeninin Raman spektrumu alınmış, yedi tipik titreşim tepesi bulunmuştur.Keywords : XIIIn2Se4, Bridgman/Stockbarger Tekniği, XRD, SEM, EDX, Raman spektroskopisi