- International Journal of Advances in Engineering and Pure Sciences
- Vol: 33 Issue: 1
- INVESTIGATION OF ELECTRONIC PROPERTIES OF SbSeI UNDER HIGH PRESSURE BY FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
INVESTIGATION OF ELECTRONIC PROPERTIES OF SbSeI UNDER HIGH PRESSURE BY FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
Authors : Tahsin Özer
Pages : 64-72
Doi:10.7240/jeps.717399
View : 9 | Download : 5
Publication Date : 2021-01-30
Article Type : Research
Abstract :SbSeI bileşiğinin 0-200 kBar'lık hidrostatik basınç altında yapısal parametreleri, elektronik yapısı ve yük yoğunluğu dağılımı ilk kez araştırıldı. Tüm hesaplamalar için Quantum Espresso yazılımı (QE) kullanıldı. Elektronik bant hesaplamaları, SbSeI bileşiğinin 0-40 kBar basınç aralığında dolaylı ve 80-200 kBar basınç aralığında direkt yasak enerji bant aralığına sahip olduğunu göstermektedir. SbSeI bileşiğinin 40-80 kBar aralığındaki bir basınçta yapısal faz geçişine maruz kaldığı düşünülmektedir.Keywords : SbSeI, Basınç, Elektronik özellikler, Quantum Espresso