- International Journal of Pure and Applied Sciences
- Vol: 7 Issue: 2 Special Issue
- Terbiyum (Tb) Katkılı Arayüzeyin Al/p-Si Schotkky Diyotların Elektrik Karakteristikleri Üzerine Etki...
Terbiyum (Tb) Katkılı Arayüzeyin Al/p-Si Schotkky Diyotların Elektrik Karakteristikleri Üzerine Etkisi
Authors : Ömer SEVGİLİ
Pages : 219-228
Doi:10.29132/ijpas.854046
View : 9 | Download : 2
Publication Date : 2021-07-20
Article Type : Research
Abstract :Bu çalışmada Terbiyum katkılı Seryum Magnezyum Alüminat, metal ve yarıiletken kristal arasına bir tabaka olarak döner-kaplama yöntemi kullanılarak oluşturuldu. Arayüzeye sahip Schottky Diyotun ve arayüzeysiz Schottky Diyotun elektiksel özellikleri (±2 V) aralığında Akım-Gerilim ölçümleri kullanılarak birbirleriyle karşılaştırıldı. Bu diyotların idealite faktörü, doyma akımı, sıfır beslem engel yüksekliği ve seri direnç değerleri hem Termiyonik Emisyon metodu hem de Norde Fonksiyonu kullanılarak hesaplandı. Deneysel sonuçlar Terbiyum katkılı Seryum Magnezyum Alüminat arayüzeyine sahip diyotun arayüzeysiz diyot ile karşılaştırıldığında seri direnç, idealite faktörü ve arayüzey durumları bakımından iyileştirdiğini gösterdi. Ayrıca her iki diyot içinde doğru beslemdeki (V>0) akım iletim mekanizması incelendi ve bu bölgede iki diyotunda eğimleri birbirlerinden farklı üç lineer bölgeye sahip olduğu görüldü. Dahası arayüzey durumlarının enerji dağılımı da incelendi ve kullanılan arayüzey tabakasının varlığından dolayı arayüzeysiz Schottky Diyotun arayüzey durumlarına göre azalmasını sağladığı görüldü.Keywords : Arayüzey tabakasının etkisi, Elektrik karakteristik, Terbiyum, Seryum magnezyum alüminat