- Gazi University Journal of Science
- Vol: 18 Issue: 3
- THERMOELECTRIC CHARACTERIZATION OF N-TYPE (Bi2Te3)Se3 SEMICONDUCTORS IN A TEMPERATURE RANGE 11-373 K
THERMOELECTRIC CHARACTERIZATION OF N-TYPE (Bi2Te3)Se3 SEMICONDUCTORS IN A TEMPERATURE RANGE 11-373 K
Authors : Raşit Ahiska, Eyüp Güler, Selim Acar, Mehmet Kasap
Pages : 481-487
View : 18 | Download : 4
Publication Date : 2010-08-12
Article Type : Other
Abstract :İki adet n-tipi (Bi2Te3)Se3 yarıiletkeni Bi2Te3 ve Bi2Se3 bileşimlerinden, bölge eritme ve presleme yöntemi ile büyütüldü. Bu yarıiletken numunelerin termoelektrik özellikleri; elektriksel iletkenlik ve Seebeck kat sayısı 11-373 K sıcaklık aralığında Harman tekniği kullanılarak ölçüldü. Oda sıcaklığında, Z parametresi bölge eritme yöntemi ile büyütülen numune için 4,1x10-3 K-1presleme yöntemi ile büyütülen yarıiletken numune için 2,4x10-3 K-1 olarak hesaplandıKeywords : Bölge eritme ve presleme yöntemi, Harman tekniği, Termoelektrik özellikler