- Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
- Vol: 27 Issue: 1
- Ti/ p-Si Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi için I – V Yöntemlerinin Karşılaştırılması...
Ti/ p-Si Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi için I – V Yöntemlerinin Karşılaştırılması
Authors : Hatice Asil Uğurlu
Pages : 158-167
Doi:10.53433/yyufbed.1058643
View : 12 | Download : 3
Publication Date : 2022-04-25
Article Type : Research
Abstract :Ti/p-Si Schottky diyotun elektriksel özellikleri 80 K- 300 K sıcaklık aralığında ve 20 K’lik adımlarla sıcaklığın bir fonksiyonu olarak incelenmiştir. İdealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnç (Rs) gibi temel diyot parametreleri akım-gerilim (I-V) karakteristiği özelliklerinden faydalanarak geleneksel I-V yöntemi, Norde yöntemi ve Cheung fonksiyonlarından hesaplanmıştır. 300 K sıcaklığında engel yüksekliği değerleri I-V, Cheung ve Norde yöntemlerinden sırasıyla 0.738 eV, 0.658 eV ve 0.782 eV olarak bulunmuştur. İdealite faktörü ise I-V yöntemde 1.43 (300 K) ve Cheung yönteminde 3.33 (300 K) olarak hesaplanmıştır. 80 K- 300 K sıcaklık aralığında farklı yöntemlerden hesaplanan parametrelerin değerleri birbiriyle kıyaslanmıştır. Artan sıcaklık ile idealite faktörünün azalması ve engel yüksekliğinin artması, diyot parametrelerinin sıcaklığa güçlü bir şekilde bağlı olduğunu göstermektedir.Keywords : Schottky diyot, Engel yüksekliği, Norde fonksiyonu, Cheung- Cheung fonksiyonları, I-V yöntem, Sıcaklık bağlılık