- Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi
- Vol: 22 Issue: 2
- FARKLI B+ İMPLANTASYON KOŞULLARI İÇİN RADFET’LERİN ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONUNUN TCAD BENZETİM PRO...
FARKLI B+ İMPLANTASYON KOŞULLARI İÇİN RADFET’LERİN ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONUNUN TCAD BENZETİM PROGRAMI İLE İNCELENMESİ
Authors : Ayşegül Kahraman, Ercan Yilmaz
Pages : 53-64
Doi:10.17482/uumfd.335425
View : 8 | Download : 2
Publication Date : 2017-09-21
Article Type : Research
Abstract :Bu çalışmada, RadFET’lerin kapı oksit tabakasına implante edilmiş B + iyonlarının V th üzerine etkisi, Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm kalınlıklarında kapı oksite sahip RadFET’ler, tüm üretim adımları TCAD’e tanıtılarak tasarlanmıştır. İmplantasyon öncesi ve sonrası V th değerleri, RadFET’lerin akım-gerilim (I d -V g ) karakteristiklerinden elde edilmiştir. Artan implantasyon enerjisi, V th değerlerinin düşmesine neden olmuştur. V th değerinin sıfır olması, daha geniş ölçülebilir doz aralığına sahip RadFET’lerin üretilmesi için önemlidir. Ancak, implantasyon enerjisindeki sürekli artışla birlikte V th , p-kanalı oluşumu nedeniyle negatif voltaj değerlerinde gözlenmemiştir. 300 nm-RadFET için en düşük V th değeri, 6.5×10 11 iyon/cm 2 bor dozu ve 72 keV’de, -1.082 V olarak bulunmuştur. 400 nm-RadFET için bu değer, 2.3×10 11 iyon/cm 2 bor dozu ve 106 keV’de, -1.139 V olarak elde edilmiştir.Keywords : RadFET, Üretim benzetimi, B+ implantasyonu, Eşik gerilimi, TCAD