- Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Dergisi
- Vol: 17 Issue: 2
- The First-Principles Study On The Investigation of Magnetic and Electronic Properties of Ga4X3Mn (X ...
The First-Principles Study On The Investigation of Magnetic and Electronic Properties of Ga4X3Mn (X = P and As)
Authors : Aytaç Erkişi
Pages : 371-381
Doi:10.29233/sdufeffd.1127249
View : 12 | Download : 5
Publication Date : 2022-11-25
Article Type : Research
Abstract :Bu çalışmada, basit kübik yapıya sahip ve P4 ̅3m uzay grubu ile 215 uzay numarasına uyan Ga4X3Mn (X=P and As) sistemlerinin manyetik doğası ve ayrıca elektronik karakteristiği rapor edilmiştir. Ab initio simülasyon yöntemleri çerçevesinde gerçekleştirilen tüm hesaplamalar, Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi (YFT) kapsamında meta-genelleştirilmiş gradient (META-GGA) yaklaşımı kullanılarak yapılmıştır. Dört farklı tip manyetik düzen için enerji-hacim eğrileri ve hesaplanan kohesif ve oluşum enerjileri göz önüne alındığında, bu bileşiklerin A-tipi antiferromanyetik yapıya sahip oldukları tespit edilmiştir. Ayrıca ilgili sistemlerin A-tipi antiferromanyetik düzende incelenen elektronik davranışları, elektronik bant yapılarında küçük bant boşluklarına sahip olmaları nedeniyle yarı-iletken olduklarını göstermektedir (Ga4P3Mn için Eb = 0.23 eV ve Ga4As3Mn için Eb = 0.16 eV).Keywords : Yarı-iletken, Antiferromanyetizma, ab initio hesaplamaları, Youğunluk fonksiyonel teorisi