- Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Dergisi
- Vol: 13 Issue: 2
- Sol-Jel Yöntemi ile Üretilen ZnO(Al)/p-Si Heteroekleminin Elektriksel Karakterizasyonu
Sol-Jel Yöntemi ile Üretilen ZnO(Al)/p-Si Heteroekleminin Elektriksel Karakterizasyonu
Authors : Namık Akçay
Pages : 121-131
Doi:10.29233/sdufeffd.462245
View : 7 | Download : 2
Publication Date : 2018-11-30
Article Type : Research
Abstract :Bu çalışmada, p-tipi Silisyum (p-Si) üzerine katkısız Çinko Oksit (ZnO) ve %2 Alüminyum katkılı çinko oksit (ZnOAl) kaplanarak oluşturulan heteroeklemlerin elektriksel özellikleri incelenmiştir. ZnO ve ZnOAl nanoparçacıklar Sol-Jel yöntemi ile sentezlenmiş ve ZnO/p-Si, ZnOAl/p-Si heteroeklemleri döndürme kaplama tekniği ile oluşturulmuştur. Kaplama sonrası örneklere 450 o C’de 30 dk termal tavlama işlemi uygulanmıştır. 10K-300K aralığında alınan Akım-Voltaj (I-V) ve Kapasite-Voltaj (C-V) ölçümleri örneklerin çok düşük sızıntı akımına sahip diyot davranışı sergilediğini göstermektedir. C-V ölçüm sonuçlarından diyotların bariyer yüksekliği ( V bi ) ve taşıyıcı konsantrasyonları ( N d ) hesaplandı . Derin seviye geçiş spektroskopisi (DLTS) tekniği ile arınma bölgesi civarında bulunan tuzak seviyeleri araştırılmıştır. Her iki örnekte de elektron tuzaklarının varlığı tespit edilmiştir.Keywords : ZnO ince film, Al katkılama, ZnO/p-Si heteroeklemi, DLTS