- Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
- Vol: 24 Issue: 1
- The Improvement Photoresponsivity of ZnO Based Photodiode with Indium Doping
The Improvement Photoresponsivity of ZnO Based Photodiode with Indium Doping
Authors : Şerif Rüzgar
Pages : 178-187
Doi:10.19113/sdufenbed.661078
View : 11 | Download : 6
Publication Date : 2020-04-20
Article Type : Research
Abstract :Katkısız ZnO ve İndiyum (In) katkılı ZnO ince filmler sol-gel spin kaplama yöntemi ile p-Si substratı üzerinde büyütülelerek, heteroeklem fotodiyotlar üretilmiştir. Filmlerin kristal yapı analizleri, amorf yapıya sahip olduklarını göstermektedir. Diyotların elektriksel karakterizasyonu geleneksel I-V ve C-G-V tekniği ile gerçekleştirilmiştir. Minimum idealite faktörü ve minimum seri direnç 3.97 ve 7.2 kΩ olarak % 5 In katkılı ZnO/p-Si diyotundan elde edilmiştir. Fotogeçiş ölçümleri, fotodiyotların görünür ışığa hızlı tepki verdiğini ve iyi bir tekrarlanabilirlik anahtarlama döngüsüne sahip olduğunu göstermektedir. Benzer şekilde, 3.15x103'lük en yüksek ışığa duyarlılık ve 2.02 A/W'nin duyarlılığı % 5 Indiyum katkılı ZnO/p-Si fotodiyotundan elde edilmiştir. Bu çalışma, Indiyum katkısının ZnO bazlı fotodiyotların elektriksel ve optoelektrik performanslarını geliştirdiğini göstermektedir.Keywords : Sol-jel, Fotodiyot, İndiyum, ZnO