- Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
- Vol: 11 Issue: 2
- Gömülmüs Atom Potansiyeli Kullanarak CuNi Alasımının Moleküler Dinamik Simulasyonu
Gömülmüs Atom Potansiyeli Kullanarak CuNi Alasımının Moleküler Dinamik Simulasyonu
Authors : Eşe Akpinar, Seyfettin Çakmak
Pages : 116-122
Doi:10.19113/sdufbed.99811
View : 21 | Download : 7
Publication Date : 2009-04-09
Article Type : Other
Abstract :Bu çalısmada, CuNi alasımının moleküler dinamik simulasyonu, Sutton-Chen (SC) potansiyeli kullanılarak incelendi. Bu potansiyel Cu, Ni ve CuNi in deneysel bilgilerinin fonksiyon parametrelerine fit edilmesiyle elde edildi. CuNi alasımının kristalizasyon sürecini atomik olarak tanımlamak için, gömülmüs atom yöntemini esas alan sabit basınç, sabit sıcaklık (NPT) moleküler dinamik simulasyonu uygulandı. Sıvı fazda iken 4x1011 K/s sogutma hızında sogutulan CuNi alasımının yapısı ve kristallesme olusum yetenegi radyal dagılım fonksiyonuyla incelendi. Simulasyon, üç temel dogrultu boyunca periyodik sınır sartlarını saglayan kübik bir hücrede 1024 atom içeren sistemle gerçeklestirildi. Hareket denklemleri Verlet algoritması kullanılarak sayısal olarak çözüldü. Sogutma deneyi için sıvı hal baslangıcı, katının sıvı sıcaklıgına ısıtılmasıyla elde edildi. Sistem 1300-1550K sıvılasma bölgesi üzerindeki sıcaklıkta eritildi ve homojenize edildi ve hızla oda sıcaklıgına sogutuldu.Keywords : Moleküler Dinamik Simulasyon, Gömülmüş Atom Yöntemi, Sutton-Chen Potansiyeli, CuNi Alaşımı