- Sakarya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
- Vol: 21 Issue: 6
- A first-principles investigation on a Half-Heusler liscpb semiconductor
A first-principles investigation on a Half-Heusler liscpb semiconductor
Authors : Yesim Mogulkoc, Yasemin Ciftci
Pages : 1278-1285
Doi:10.16984/saufenbilder.287816
View : 15 | Download : 4
Publication Date : 2017-12-01
Article Type : Other
Abstract :Bir ilk-ilkesel çalışması olan yarı-Heusler (HH) LiScPb yarıiletkeninin yapısal, elastik, elektronik, titreşimsel, termodinamik ve optik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan düzlem dalga-pseudo potansiyel tekniği kullanılarak rapor edilmiştir. Elastik özellikler ikinci mertebeden elastik sabitleri kullanılarak sunulmuştur. Elektronik bant yapısı hesaplamaları kısmi durum yoğunlukları ile elde edilmiştir. Yarı-Heusler (HH) LiScPb yarıiletkeninin optiksel özellikleri araştırılmıştır ve bu çalışmada kırılma indisi, sönüm katsayısı, yansıma ve kayıp fonksiyonu dielektrik fonksiyonları kullanılarak belirlenmiştir. Yarı-Heusler (HH) LiScPb yarıiletkeninin kararlılığını değerlendirmek için fonon hesaplamaları dikkate alınmıştır. Ayrıca, sistemin serbest enerjisi, entropisi ve ısı sıcaklığı artan sıcaklık değerleri altında araştırılmıştır.Keywords : İlk-ilkesel, yarı-Heusler, elastik özellikler, elektronik özellikler, LiScPb