- Politeknik Dergisi
- Vol: 26 Issue: 1
- GaSe Yarıiletken Kristallerine Bor Katkılamanın Optik Sınırlama ve İki Foton Soğurma Özellikleri Üze...
GaSe Yarıiletken Kristallerine Bor Katkılamanın Optik Sınırlama ve İki Foton Soğurma Özellikleri Üzerine Etkileri
Authors : Elif YILDIZ
Pages : 161-168
Doi:10.2339/politeknik.933320
View : 8 | Download : 2
Publication Date : 2023-03-27
Article Type : Research
Abstract :Saf GaSe ve %0,1, %0,5 ve %1 oranlarında bor katkılı GaSe kristalleri dikey Bridgman-Stockbarger yöntemi kullanılarak büyütülmüştür. Yarıiletken kristallerin iki foton soğurma ve optik sınırlama özellikleri açık yarık Z tarama deney düzeneği kullanılarak incelenmiştir. Farklı bor katkılama oranlarında büyütülen GaSe yarıiletken kristaller 1064 nm dalga boyunda ve 4 nanosaniye atma süresinde iki foton soğurma ve optik sınırlama davranışları sergilediği gözlenmiştir. Yarıiletken kristallerin iki foton soğurma özelliklerinin bor katkılama yüzdesiyle arttığı sonucuna ulaşılmıştır. Çalışılan yarıiletken kristallerden %1 bor katkılı GaSe kristalinin, düşük giriş akısı değerinde en iyi optik sınırlama davranışı sergilediği görülmüştür. Yapılan açık yarık Z-tarama deney sonuçlarına göre, yarıiletken kristallerin iki foton soğurma ve optik sınırlama özellikleri kristal içerisine yapılan bor atomlarının katkılama yüzdesi ile kontrol edilebilmektedir.Keywords : Açık yarık Z-tarama tekniği, İki foton soğurma, Optik sınırlama