- Politeknik Dergisi
- Vol: 25 Issue: 4
- Mosaic Defect and AFM Study on GaN/AlInN/AlN/Sapphire HEMT Structures
Mosaic Defect and AFM Study on GaN/AlInN/AlN/Sapphire HEMT Structures
Authors : Ahmet Kursat Bilgili, Erkan Hekin, Mustafa Ozturk, Süleyman Özçelik, Ekmel Özbay
Pages : 1613-1619
Doi:10.2339/politeknik.787700
View : 10 | Download : 2
Publication Date : 2022-12-16
Article Type : Research
Abstract :Bu çalışmada GaN/AlInN/AlN/Al2O3 yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) yapıları üç numune olacak şekilde, yüksek çözünürlüklü X-ışınları kırınımı (HR-XRD) tekniği ile incelendi. Hesaplamalarda roking eğrilerinden elde edilen pik pozisyonları ve pik genişlemeleri kullanıldı. Yapısal kalite simetrik ve asimetrik pik düzlemlerinden faydalanılarak belirlendi. Tedirgin edici dislokasyonlar (TDs), eğim ve burkulma açıları, yanal ve düşey kristal uzunlukları gibi mozaik kusurlar Wiiliamson Hall (WH) metodu kullanılarak saptandı. Bunlara ilave olarak, yüzey morfolojisi atomik kuvvet mikroskopisi (AFM) yöntemiyle belirlendi. Epitaksiyel tabakaların kristal kalitesinin örnek C, B ve A sırasına göre düştüğü farkedildi. Örnekler A, B ve C için Al kompozisyonlarının sırasıyla %87.4, %86.6 ve %86.4 olduğu Vegard yasası kullanılarak belirlendi.Keywords : GaN, AlInN, AlN, HEMT, safir