A Different Approach to Absorption Coefficient and Thickness
Authors : Ahmet Kursat BILGILI, Ömer AKPINAR, Süleyman ÖZÇELİK, Mustafa OZTURK
Pages : 643-646
Doi:10.2339/politeknik.759480
View : 15 | Download : 4
Publication Date : 2022-06-01
Article Type : Research
Abstract :Bu çalışmada, metal organic kimyasal buhar biriktirme(MOCVD) yöntemiyle büyütülen InGaN/GaN/Al2O3 yapısının yapısal ve morfolojik özellikleri incelendi. GaN’ın kristal boyutu X-ışını kırınımı (XRD) tekniği ile belirlendi. Raman spektrumu kullanılarak kalibrasyon katsayısı belirlendi. Kalibrasyon katsayısı ve termoelektrik figure (ZT) yapıdaki GaN’a ait yığın sayısını tahmin etmek için kullanıldı. Yığın sayısı (N) yapısal bir özelliktir ve onu kullanarak optik bir özellik olan soğurma katsayısı belirlendi. Atomik kuvvet mikroskobisi (AFM) ve tarama elektron mikroskobisi (SEM) kullanılarak numunenin toplam kalınlığı tam olarak belirlendi ve birbiri ile kıyaslandı. Bu çalışmada kullanılan numune sadece bir örnek teşkil eder. Eğer doğru katsayılar bulunabilirse farklı yapılara da uyarlanabilir. Bu çalışmanın önemi, farklı numunelerin optik, yapısal ve morfolojik özelliklerini belirleyebilmek için anahtar rolü oynamasıdır.Keywords : InGaN, GaN, XRD, SEM, AFM, Raman