- Politeknik Dergisi
- Vol: 22 Issue: 2
- Farklı Üretim Parametrelerinin Katı Faz Kristalizasyon (SPC) Tekniği Kullanılarak Üretilen Polikrist...
Farklı Üretim Parametrelerinin Katı Faz Kristalizasyon (SPC) Tekniği Kullanılarak Üretilen Polikristal Silisyum İnce Filmlerin Kalitesi Üzerine Etkileri
Authors : Özge Tüzün Özmen, Salar Habibpur Sedani, Mehmet Karaman, Kadir Gökşen, Raşit Turan
Pages : 469-475
Doi:10.2339/politeknik.457955
View : 22 | Download : 4
Publication Date : 2019-06-01
Article Type : Research
Abstract :Yüksek elektronik kaliteleri ve optimize edilmiş eklem yapıları nedeniyle SiN x kaplı cam alttaş üzerindeki polikristal silisyum (poly-Si) ince filmler, hacimsel silisyum bazlı güneş hücrelerine karşı umut vaat edici alternatif yaklaşımlardır. Bu çalışmada, poly-Si filmler katı faz kristalizasyonu (SPC) tekniği ile üretilmişlerdir. Filmler, klasik tüp fırında 600 o C’de 8-26 saat aralığında kristalleştirilmişlerdir. SiN x kaplı cam alttaş üzerindeki poly-Si ince filmlerin yapısal ve optiksel özellikleri araştırılmıştır. Poly-Si ince filmlerin yönelimi ve kristalit büyüklüğü X-ışını kırınımı (XRD) kullanılarak incelenirken filmlerin kristallenme derecesi mikro Raman spektroskopisi ile çalışılmıştır. Kristalizasyon süresinin filmin kalitesi üzerine önemli etkileri olduğu bulunmuştur. Deneyler sonucunda, tavlama süresi 8 saatten 26 saate arttırıldığında kristallenme derecesinin %10’dan %95’e arttığını göstermiştir. 600 o C’de kristallenen SPC poly-Si filmlerin tercihli yönelimi tüm tavlama zamanları için <111>’dir. Diğer yandan, artan tavlama süresi kristalit boyutunu 29,6nm’den 36,3nm’e büyütmüştür. Bu analizlere ek olarak, bu çalışmada, e-demeti sistemi ile büyütülen a-Si’un üretim esnasında kullanılan potanın SPC poly-Si filmin kristal kalitesi üzerine etkileri de araştırılmıştır. Sonuçlar göstermiştir ki e-demeti sisteminde kullanılan potanın malzemesinin grafit yerine molibden (Mo) olması gerektiği ve SPC tekniğini ile oluşturulan poly-Si filmlerin kalitesi üzerine önemli etkisi olduğu görülmüştür.Keywords : İnce film, polikristal silisyum, katı faz kristalizasyon, üretim parametreleri